美國加利福尼亞州森尼韋爾, Aug. 23, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- 專門從事化合物半導體製造的代工廠SANAN INTEGRATED CIRCUIT CO., LTD.（Sanan IC）今日宣佈，公司憑藉旗下先進的III-V族化合物技術平台進軍北美、歐洲和亞太地區市場。該公司擁有豐富的產品陣容，涉及砷化鎵HBT、pHEMT、BiHEMT、集成無源元件（IPD）、濾波器、氮化鎵功率HEMT、碳化矽和磷化銦DHBT工藝技術，在當今活躍的微電子及光電市場中涵蓋的應用範圍十分廣泛。Sanan IC高度專注於高性能、大規模和優質的III-V族化合物半導體製造，專為射頻、毫米波、功率電子和光學市場服務。
該公司於2014年成立，總部位於中國南部的福建省廈門市，是中國領先的LED晶片製造公司Sanan Optoelectronics Co., Ltd.旗下的附屬公司，基於氮化鎵和砷化鎵技術經營業務。憑藉大量生產和多年來對母公司面向LED照明及太陽能光伏市場推出的多種外延片反應器的投入，Sanan IC正在不斷將公司的市場拓展策略擴大至大中華以外地區，該公司擁有成熟的工藝技術和專利組合，致力於滿足獨立設計製造商（IDM）和無廠設計商對大量化合物半導體代工的需要。
Sanan IC總經理蔡文必說︰「我們看到，在射頻、毫米波、功率電子和光學市場持續增長推動下，全球對大量6寸III-V族化合物外延片的需求存在龐大機遇。我們基於自有化合物半導體技術平台的垂直整合製造服務，加上我們自有的外延片和基片產能，令我們成為業界理想的晶圓代工合作夥伴。憑藉對最尖端設備設施的資本投資，母公司Sanan Optoelectronics對我們的大力支持，再加上我們的策略合作網絡，以及世界一流的科學家及技術專家團隊，Sanan IC已作好充分準備，有望在當前表現活躍的化合物半導體市場中取得成功。」
隨著蜂窩移動網絡和無線入網技術使物聯網（IoT）獲廣泛應用，加上5G技術所用的6GHz低頻段演變為毫米波頻段方案，III-V族化合物技術在為世界各地營運商提供基礎設施和用戶端設備部署相關支援中的作用亦變得越來越重要，成為不可或缺的一環。根據Yole Group of Companies旗下領先的技術市場調查機構Yole Développement（Yole）資料顯示，預計涵蓋射頻、光通訊、光伏和LED領域的砷化鎵晶圓市場規模將於2023年增長至400萬件以上，其中以光通訊的增速最快，複合年增長率將達37%1。預計數據中心、電動汽車、電池充電器、電力供應、雷射雷達、音響等應用領域相關功率電子元件所用的氮化鎵和碳化矽亦會快速增長，其中預計氮化鎵出貨量到2022年將增至4.6億美元，年複合增長率達79%2，預計碳化矽出貨量到2023年將增至14億美元，年複合增長率達29%3。資料通訊、電訊、消費電子、汽車和工業市場對光學元件的需求持續高漲，使光電探測器、鐳射二極體和VCSEL的收入均持續增長，尤其是VCSEL，出貨量到2023年有望達到35億美元4。隨著這些應用領域的崛起，Sanan IC已作好準備，為行業需要提供支援。
資料來源：
1 《砷化鎵晶圓和外延片市場：射頻、光電、LED和光伏應用報告》，Yole Developpement（Yole），2018
2,3 《2018年碳化矽功率元件：原材料、元件和應用報告》，Yole Developpement（Yole），2018
4 《VCSEL：技術、產業和市場趨勢報告》，Yole Developpement（Yole），2018
關於Sanan IC
Sanan Integrated Circuit Co., Ltd.（Sanan IC）是中國第一家6寸化合物半導體晶圓代工廠，為全球各地的微電子及光電市場服務。該公司於2014年成立，位於中國福建省廈門市，是Sanan Optoelectronics Co., Ltd.（SSE代碼：600703）旗下的附屬公司。該公司擁有最尖端的III-V族化合物半導體製造設施，開發砷化鎵、氮化鎵外延片和襯底。Sanan IC憑藉自身的先進工藝技術平台，協助全球射頻、毫米波、濾波器、電力電子、光學元器件及子系統業界發展。www.sanan-ic.com/en.
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